四探针探头(不含探针) 型号:CN61M/KDY-1
配套四探针测试仪KDY-1使用
一、特点
1、 测量电阻率的小游移探针头,实用号ZL 03 2 74755.1。
2、 使用几何尺寸十分精确的红宝石轴套,确保探针间距的恒定、准确。
3、 控制宝石内孔与探针之间的缝隙不大于6μm,保证探针的小游移率。
4、 采用特制的S型悬臂式弹簧,使每根探针都具有独立、准确的压力。
5、 量具精度的硬质合金探针,在宝石导孔内稳定运动,持久耐磨。
二、用途
1、 测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率,测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻。
2、 测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻。
三、规格型号:
KDT-1:探针合力8±1N,探针间距1.00mm,探针直径0.5 mm,针尖压痕直径25—50μm,用于测量硅棒
KDT-2:探针合力8±1N,探针间距1.59mm,探针直径0.8 mm,针尖压痕直径25—50μm,用于测量硅棒
KDT-3:探针合力6±1N,探针间距1.00mm,探针直径0.5 mm,针尖压痕直径50—100μm,用于测量硅片
KDT-4:探针合力6±1N,探针间距1.59mm,探针直径0.8 mm,针尖压痕直径50—100μm,用于测量硅片
KDT-5:探针合力4±1N,探针间距1.00mm,探针直径0.5 mm,针尖压痕直径100—250μm,用于测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻
KDT-6:探针合力4±1N,探针间距1.59mm,探针直径0.8 mm,针尖压痕直径100—250μm,用于测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻
四、技术指标
1、 探针头主要分为4个等级,其中AA、AA*提供中国计量院检测报告,*提供本公司的检测报告。
2、 游移率 B级…………… <0.5%
*……………<0.3%
A*………… <0.2%
AA*…………<0.1%
3、 间距偏差 B级…………… <3%
*…………… <2%
A*………… <2%
AA*………… <1%
4、 针与导孔间隙小于0.006mm
5、 探针材料:硬质合金(主成份:碳化钨)
6、 500V绝缘电阻:>1000MΩ
七、外形尺寸及安装:昆德探头基本外径为25.4mm(1英寸),可安装在内径为26mm
的套筒上。
关于四探针探头(不含探针)的详细资料请通过下面的方式:
: 59410839
: 朱
公司地址:北京海淀上地三街1号