电容电压特性测定仪报价型号:THZ24-CV-5000库号：M408361 MOS（金属－氧化物－半导体）结构的电容是外加偏置电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C－V特性）。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、SiO2-Si系统中的电荷密度有关系。 利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构的C-V特性曲线比较，可求得氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度

电容电压特性测定仪报价电容电压特性测定仪报价 型号:THZ24-CV-5000库号：M408361   

MOS（金属－氧化物－半导体）结构的电容是外加偏置电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C－V特性）。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、SiO2-Si系统中的电荷密度有关系。 利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构的C-V特性曲线比较，可求得氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层中可动电荷面密度、和固定电荷面密度等参数。

另外作为组成半导体器件的基本结构的PN结具有电容效应（势垒电容）。加正向偏压时，PN结势垒区变窄，势垒电容变大；加反向偏压时，PN结势垒区变宽，势垒电容变小。

CV-5000型电容电压特性测试仪是测试频率为1MHz的数字的电容测试仪器，既可用于测试半导体器件PN结的势垒电容在不同偏压下的电容量，也可进行Mos电容的外加电压扫描测试，还可测试其它MIS电容。

该电容电压特性测试系统由主机和上位机（PC）组成，并在软件控制下完成校准及测试等功能，同时显示C-V电容电压特性曲线。主机面板上的发光二极管指示仪器的工作状态，用数码管组成的显示板，将被测元件的数值，小数点清晰地显示出来。仪器有分辨率，电容量是五位读数，可分辫到0.001pF，偏置电压分辨力为0.1V，漏电流分辨力为0.01uA。

仪器配有CV-5000型测量座，接插元件方便。

本仪器测量操作简便。可应用于元件厂，科研部门，高等院校等各个部门。

CV-5000型电容电压特性测试系统是一个运行在计算机上拥有测试界面的用户程序，程序操作易用。测试程序在计算机与CV-5000型电容电压特性测试测试仪连接的状态下，通过计算机的USB口实现通讯。

测试程序控制电容电压特性测试测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形记录、显示出来。用户可对采集到的数据在计算机中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行数据分析。

技　术　指　标 ：

测试信号频率  1.000MHz±0.01%；

测试信号电压 小于或等于100mVrms；

电容测量范围 1.000pF～5000.0pF；

工作误差 ±3.0%±2字；

直流偏压 -35V～+35V（可扩展），由软件按设定步进电压值输出偏置电压；

软件功能 由软件控制电压的扫描输出，读取不同电压点的电容值并在电脑中绘出电容-电压的变化曲线；软件可记录、保存、打印每一点的测试数据，也可把测试数据输出到Excel中，对数据进行各种数据分析。

电脑通讯接口 USB通讯接口；

应用 应用于MOS掺杂和PN结掺杂的C-V特性测量，也可测试其它MIS电容等。MOS（金属－氧化物－半导体）结构的电容是外加偏置电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C－V特性）。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、SiO2-Si系统中的电荷密度有密切的关系。 利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构的C-V特性曲线比较，可求得氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层中可动电荷面密度、和固定电荷面密度等参数

附送实验样品 P型MOS实验样品、N型MOS实验样品、PN掺杂实验样品

供电电源 交流电压：220V±5%；

频率： 50Hz±5%；

消耗功率：不大于40W；

工作环境 温度：0—40℃；

湿度：20%~90%RH 40℃